接着，大数电网作者又进一步比较了两种ZnIn2S4材料的稳态荧光光谱强度的差异（图6C），大数电网相比于锌空缺贫瘠的ZnIn2S4，富含锌空缺的ZnIn2S4的稳态荧光强度显著下降，更进一步表明电子和空穴的复合程度在缺陷的引入后得到了抑制。

据助精益（e）在55℃下测量的LFP@C1-C4在1C速率下的循环性。2.2、力配占据表面空缺图十四、Al-LNMO的制备和性能测试（a）Al-LNMO颗粒的HAADF-STEM图像。

管理（b）FePO4/PANI复合材料的HRTEM图像。大数电网（c）LiFePO4/碳一次颗粒的典型TEM图像。因此，据助精益LIBs在安全性和稳定性方面面临严峻挑战。

力配（b）通过XPS测量的表面Zr含量与温度之间的关系。Zn2+进入到LiNi0.5Mn1.5O4的表面晶格中形成岩盐相稳定表面化学（JournaloftheAmericanChemicalSociety,2019.）利用此设计策略既可以避免包覆层不良的传质特性及充放电过程中由于其体积收缩和膨胀产生的碎片对电池性能的不良影响，管理又可以提高电极材料的稳定性。

因为对于广泛应用的包覆物种，大数电网它们通常有着较低的Ksp，在溶液中很容易自成核析出，这就使得异相生长过程变得具有挑战性。

2010年6月至2012年2月在美国德州大学奥斯汀分校做博士后，据助精益从事车用电池技术方面的研究，主要集中于高性能动力电池正极材料的合成及应用。（f）对于(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构，力配在520和590nm处的空间分辨的横截面发光图像（插图：横截面的光学图像）。

（b）1mol/L的MAI、管理BAI与MAI质量比为2：3、不同生长时间的（(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的XRD图谱。在540nm处具有20nm的半高全宽(fwhm)，大数电网在610nm处具有34nm的半高全宽。

据助精益图2(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的结构表征（a）生长240min的(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的光学图像（插图：异质结构表面的SEM图像）。（b）透明胶带机械剥离异质结构，力配获得板内部的光学图像。